Os Smartphones Mais Potentes Do Mercado Atualmente; IPhone E Galaxy Fora Do Pódio
Usando a média dos testes realizados por todos os usuários de cada mecanismo, o índice cobriu o tempo de 1º de janeiro a 30 de junho pra construir o ranking atual. Nas posições 4 e 5 Vêm o Lenovo ZUK Z2 Para o e o Xiaomi cinco. Só desta maneira aparece o Galaxy S7 Edge e, abaixo da estreia nesse ano da Samsung, o iPhone 6S, exposto em 2015 pela Apple. Vale recordar que o ranking da AnTuTu leva em consideração só o desempenho dos gadgets. Na hora da compra, cada usuário tende a levar em consideração estilos mais interessantes pra diferentes fins - como câmera, resolução de tela, peso e design, por exemplo.
Este é o teste de forma acelerada e serve basicamente pra checar a quantidade de memória disponível. Teste um (Address test, own address): Esse teste é parecido ao 0, no entanto adota uma estratégia contrário, checando endereços e não só realizando uma contagem rápida. Isso permite detectar problemas de endereçamento no módulo. Outra diferença é que este teste é feito sem usar os caches do processador, pra impossibilitar que ele mascare defeitos nos módulos. Teste 2 (Moving inversions, ones&zeros): Escreve bits um e depois bits 0 em todos os endereços da memória. Este algoritmo assim como usa os caches L1 e L2 do processador. É um teste veloz que identifica os erros mais grosseiros, onde novas células do módulo estão realmente queimadas.
Teste três (Moving inversions, 8 bit pat): Nesse teste escreve sequências de fatos de 8 bits, repetindo o teste vinte vezes com sequências diferentes. Teste quatro (Moving inversions, random pattern): Esse teste é igual ao teste número 3, todavia usa uma seqüência randômica de acessos, que é repetida um total de 60 vezes. Teste 5 (Block move, sessenta e quatro moves): Move dados de um endereço para outro da memória, são movidos blocos de 4 megabits de cada vez.
Este teste é repetido sessenta e quatro vezes. Teste 6 (Moving inversions, trinta e dois bit pat): Os dados gravados em cada bit de memória são lidos e movidos para o endereço adjacente. A operação é repetida 32 vezes, para testar todas as combinações possíveis. Esse teste detecta um tipo de erro muito comum que é a "contaminação" de endereços. Isto ocorre no momento em que, por um problema de fabricação, o isolamento elétrico entre duas ou mais células de memória fica muito fino, permitindo que os elétrons saltem de um para o outro. Isto faz com que ao gravar um dos bits o outro bem como seja gravado com o mesmo valor.
Esse tipo de defeito pode ser bastante intermitente, acontecendo apenas quando o segundo bit estiver com um valor zero, ou somente esporadicamente. Teste sete (Random number sequence): São escritas sequências de números randômicos, preenchendo todos os endereços da memória. Os números são conferidos em menores blocos e o teste é repetido muitas vezes. Note que tanto o teste sete quanto o oito são bastante demorados e servem somente para detectar erros bastante raros, eliminando cada dúvida sobre a saúde dos módulos.
Teste memoria servidor nove (Bit fade test, 90 min, dois patterns): Permite detectar erros raros relacionados com os circuitos de refresh, ou soft-erros causados por fatores vários, que alterem os detalhes armazenados. No teste, todos os endereços são preenchidos usando uma seqüência de valores pre-acordados. O programa aguarda noventa minutos e verifica os detalhes gravados, anteriormente. Esses dados são produzidos utilizando sequências matemáticas, de forma que o programa só necessita redizer as mesmas operações pela hora de apurar, sem precisar guardar uma cópia de tudo que gravou em algum território.
Logo após, a mesma seqüência é gravada novamente, porém dessa vez com os dígitos invertidos (o que era um vira 0 e o que era 0 vira um). O programa aguarda mais noventa minutos e checa de novo. Pra executá-lo, pressione "C", depois "um" (Test Selection) e logo após "3" (Select Test). Ao detectar um erro, a primeira providência é trocar o módulo de memória defeituoso e refazer o teste.
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Em alguns casos a dificuldade pode não ser no módulo, entretanto sim pela placa-mãe. Em outros casos mais raros talvez em tal grau o módulo quanto a placa estejam bons, e o defeito seja só um tipo de incompatibilidade entre eles. Por esse caso experimente baixar a freqüência de operação da memória, ou do FSB pra testar o módulo em frequências mais baixas que as nominais.
Diversas vezes um módulo danificado por estática ou por variações nas tensões fornecidas na fonte pode deixar de funcionar estavelmente pela freqüência máxima, porém prosseguir suportando frequências mais baixas. Outra dica é limpar cuidadosamente o módulo, removendo a poeira acumulada e limpando os contatos. Pela imagem abaixo temos um módulo de 4095 MB danificado por estática. Olhe que foram identificados inúmeros endereços defeituosos. A lista mostra somente os primeiros erros, todavia pressionando a tecla "C" e depois "4" (error summary), é possível ver de perto o número total.
Neste caso, o módulo tinha 2036 endereços defeituosos. MB do módulo eles começam. Se você chegou até neste local é por causa de se interessou a respeito do que escrevi por essa postagem, certo? Pra saber mais dicas a respeito, recomendo um dos melhores sites sobre isto esse tema trata-se da fonte principal no assunto, veja neste local memoria servidor [https://www.sinergiati.com.br]. Caso precise poderá entrar em contato diretamente com eles pela página de contato, telefone ou email e saber mais. No caso de módulos em que os erros aparecem logo nos primeiros endereços, não existe o que fazer, dado que eles farão com que o sistema trave logo no começo do boot. Módulos onde os problemas se concentram no fim(como esse do exemplo) ainda são capazes de ser usados pra testes, porque o sistema acessa a toda a hora a memória pelo início, deixando os últimos endereços do módulo por último. No tempo em que você estiver rodando aplicativos leves e o sistema não acessar os endereços defeituosos do módulo, tudo funciona normalmente.
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